Toshiba анонсировала BGA SSD на 1 Тбайт и начинает поставки 512 Гбит чипов 3D NAND

Toshiba объявила о начале отгрузок тестовых образцов своих новых микросхем типа BiCS 3D NAND с 64 слоями и ёмкостью 512 Гбит, разработанных в сотрудничестве с Western Digital.

Первыми продуктами на базе новых чипов 3D NAND станут однокристальные твердотельные накопители (solid-state drives, SSD) в форм-факторе BGA и ёмкостью в 1 Тбайт. Микросхемы типа BiCS 3D NAND используют трёхбитовые ячейки (triple level cell, TLC). На конференции ISSCC, проходившей в начале февраля, Toshiba и Western Digital подробно описали новые микросхемы памяти, однако публично не раскрывали технические особенности 64-слойных чипов BiCS 3D NAND.

Обе компании заявили, что массовое производство новых чипов ёмкостью 512 Гбит начнется во второй половине 2017 года и такие чипы будут использованы в составе накопителей в мобильных устройствах и в ЦОД, т.к. производительность новых чипов позволяет добиться необходимых показателей в высоконагруженных системах.

Новые микросхемы способны хранить 64 Гбайт данных и являются самыми ёмкими чипами флеш-памяти NAND на сегодняшний день, т.к. Western Digital и Toshiba, начиная с конца прошлого года, поставляют на рынок 64-слойные 3D NAND устройства ёмкость в 256 Гбит (32 Гбайт). Использование же 16 новых чипов позволит увеличить ёмкость SSD вплоть до 1 Тбайт — по планам Toshiba, в её продуктовой линейке должны появиться однокристальные накопители серии BG, которые будут доступны как виде микросхем в форм-факторе BGA, так и в виде миниатюрных модулей M.2 (их изображения приведены в начале статьи).

Источники: AnandTech